โตชิบาประกาศเปิดตัวอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ DTMOS Power MOSFET กำลังสูง โดยใช้โครงสร้าง Super Junction เพื่อลดการบริโภคพลังงาน

โตเกียว–(บิสิเนส ไวร์)–23 มี.ค. 2548 – บริษัทโตชิบา คอร์ปอเรชัน ซึ่งยังคงมีบทบาทผู้นำในการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ที่ก้าวล้ำประกาศในวันนี้ว่า ทรานซิสเตอร์ power MOSFET รุ่นใหม่ที่เรียกว่า DTMOS ซึ่งใช้โครงสร้างใหม่แบบ super junction จะสามารถลดการบริโภคพลังงานที่เกิดจากความต้านทาน (RDSon) ลงประมาณ 40 % ของมูลค่าที่ได้จากการใช้ MOSFET แบบดั้งเดิม

โตชิบาตั้งเป้าที่จะใช้ TK15A60S ซึ่งเป็นอุปกรณ์ตัวแรกในตระกูล DTMOS ใน power supply ในโทรทัศน์, เครื่องใช้ไฟฟ้าในบ้าน, เอซี อะแด๊ปเตอร์ และบัลลาสท์ไฟฟ้า โดยโตชิบาได้เริ่มการส่งมอบตัวอย่าง MOSFET แบบใหม่ในวันนี้ และจะเริ่มการผลิตในเดือนเม.ย. 2548

โครงสร้าง super junction ซึ่งมีวงจรในแนวดิ่งจะทำให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านอย่างง่ายดายบน silicon substrate นั้น สามารถลดความต้านทาน RDSon ลงมากกว่าการจำกัด silicon ในทางทฤษฎี

ด้วยการใช้โครงสร้างแบบ super junction และการใช้อุปกรณ์ทั้งหมดนั้น ความต้านทาน RDSon สำหรับพื้นที่เดียวกันในอุปกรณ์ DTMOS ของโตชิบา ลดลง 60 % และลด gate charge (Qg) ลง 40 % เมื่อเทียบกับ MOSFET ดั้งเดิมของโตชิบา ดังนั้น RDSon x Qg (a) ซึ่งเป็นลักษณะเฉพาะที่เป็นดัชนีบ่งชี้ประสิทธิภาพที่สำคัญตัวหนึ่งสำหรับ MOSFET (ซึ่งยิ่งเล็กยิ่งดี) นั้น คิดเป็น 1 ใน 4 ของมูลค่าของ MOSFET แบบดั้งเดิมของบริษัท

โตชิบากำลังทำการผนวกโครงสร้าง super junction เข้ากับเทคโลโลยี Deep Trench MOSFET (DTMOS) ดั้งเดิมของบริษัท ซึ่งนับเป็นอุปกรณ์ตัวแรกในตลาดที่ใช้โครงสร้าง super junction ผนวกกับเทคโนโลยี deep trench โดย TK15A60S เป็นอุปกรณ์ตัวแรกในตระกูลนี้ซึ่ง รองรับกระแสไฟฟ้าสูงสุด 15 แอมป์และ 600 โวลต์ พร้อมด้วยความต้านทาน 0.3 โอห์ม และจะเริ่มlส่งตัวอย่างในเดือนมี.ค. 2548

ภูมิหลังของการพัฒนา

เนื่องจากเมื่อไม่นานมานี้ได้มีความต้องการอย่างมากที่จะลดการบริโภคพลังงานและทำให้อุปกรณ์อิเล็คทรอนิคของผู้บริโภคมีขนาดเล็กลง การลดความต้านทาน RDSon ในทรานซิสเตอร์ power MOSFET จึงได้กลายเป็นเป้าหมายในการปรับปรุงประสิทธิภาพด้านพลังงาน

เพื่อที่จะตอบสนองต่อความต้องการสำหรับการบริโภคพลังงานที่ลดลงนั้น โตชิบาทำการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ใช้เทคโนโลยี DTMOS ซึ่งสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพของ power supply โดยโตชิบาประสบความสำเร็จในการพัฒนา DTMOS เนื่องจากโตชิบามีอุปกรณ์ power MOSFET ที่หลากหลาย รวมถึงความเชี่ยวชาญในการพัฒนาและเทคโนโลยีด้านอุปกรณ์

รายละเอียดของอุปกรณ์ DTMOS MOSFET รุ่นแรกของโตชิบา

รหัสสินค้า/Part Number TK15A60S
———————————————————————-
แรงดันไฟฟ้าขั้ว Drain-source (อัตราสูงสุด) 600 โวลต์
———————————————————————-
แรงดันไฟฟ้าขั้ว Gate-source (อัตราสูงสุด) +/-30 โวลต์
———————————————————————-
กระแสไฟที่ไหลผ่าน/Drain current (อัตราสูงสุด) 15 แอมป์
———————————————————————-
แรงดันไฟฟ้า Gate threshold 3.0 to 5.0 โวลต์
———————————————————————-
ความต้านทานขั้ว Drain-source 0.3 โอห์ม (สูงสุด)
———————————————————————-
Gate charge 27 nanoColoumbs (nC, ตัวย่อ)
———————————————————————-

คุณสมบัติเฉพาะ

– เนื่องจากโครงสร้าง super junction จึงมีความต้านทาน RDSon อยู่ที่ 0.3 โอห์ม (สูงสุด)
– ณ เวลานี้ โตชิบาเป็นบริษัทแรกที่ใช้โครงสร้าง super junction และเทคโนโลยี deep trench บน silicon substrate
– อุปกรณ์ดังกล่าวใช้แพคเกจ TO-220SIS ซึ่งมีการใช้กันอย่างกว้างขวางในตลาด และสามารถแทนที่ผลิตภัณฑ์ดั้งเดิมได้อย่างง่ายดาย

กำหนดราคาและการวางตลาด

ตัวอย่างของอุปกรณ์ TK15A60S 15A, 600V DTMOS ของโตชิบามีกำหนดวางตลาดในเดือนมี.ค. 2548 ในราคาตัวละ 300 เยน

ผลิตภัณฑ์แยกส่วนของโตชิบา

นับตั้งแต่ปี 2529 โตชิบาได้รับการจัดอันดับให้เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านผลิตภัณฑ์แยกส่วนระดับโลก โดยจากรายงานล่าสุดนั้น บริษัทการ์ทเนอร์ ดาต้าเควสท์ (ซานโฮเซ, แคลิฟอร์เนีย) ได้จัดอันดับโตชิบาเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำตามรายได้จากการส่งมอบผลิตภัณฑ์แยกส่วนทั่วโลกทั้งหมดในปี 2546

นอกจากนี้ โตชิบายังเป็นผู้นำในด้านส่วนแบ่งตลาดโลกของประเภทผลิตภัณฑ์แยกส่วน ได้แก่ ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า, LMOS logic, CMOS logic, อุปกรณ์ไดโอดเลเซอร์ และอุปกรณ์ photocoupler ด้วยความเข้าใจของบริษัทต่อความต้องการของตลาดและการผนวกเป้าหมายการทำงานเข้ากับผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมนั้น โตชิบายังคงส่งมอบโซลูชันที่นำหน้าอุตสาหกรรมทั้งในด้านนวัตกรรม, คุณภาพและมูลค่า อุปกรณ์แยกส่วนของโตชิบาได้ถูกออกแบบขึ้นเพื่อตอบสนองความต้องการที่กำลังขยายตัวของอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ำในด้านการสื่อสารโทรคมนาคมไร้สายและอุปกรณ์อิเล็คทรอนิคสำหรับผู้บริโภค ขณะที่ตอกย้ำความแข็งแกร่งในตลาดรถยนต์และอุตสาหกรรม

(a) ผลิตภัณฑ์เกี่ยวกับความต้านทานและ gate charge โดย MOSFET ยิ่งมีขนาดเล็ก ก็ยิ่งมีประสิทธิภาพมากขึ้น

ติดต่อ: โตชิบา คอร์ปอเรชัน
มาโกโตะ ยาซูดะ, ++81-3-3457-2105
เว็บไซต์ http://www.toshiba.co.jp/contact/media.htm