บอยซ์, ไอดาโฮ—(บิสิเนส ไวร์)—20 ธ.ค.2547 – บริษัทไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ (Micron Technology, Inc.) ได้วางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ NAND แฟลช เมมโมรี่ ขนาด 2 กิกะไบท์ (Gb) ชิ้นแรกของโลก ซึ่งบรรลุเป้าหมายทางกลยุทธ์ในการเจาะตลาด NAND ทั้งนี้ ความต้องการเมมโมรี่ที่มีความจุสูงขึ้นในโทรศัพท์เคลื่อนที่และแอพพลิเคชั่นต่าง ๆ ในการจัดเก็บข้อมูลจำนวนมากได้ส่งผลให้ NAND แฟลชเป็นส่วนหนึ่งในภาคธุรกิจเซมิคอนดัคเตอร์ที่มีการเติบโตรวดเร็วที่สุด
การเพิ่มประสิทธิภาพของ NAND แฟลช เมมโมรี่ ซึ่งเน้นไปที่แฟลช การ์ด, อุปกรณ์ยูเอสบี (USB devices), อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล (mass storage devices) และแอพพลิเคชั่นของโทรศัพท์เคลื่อนที่ต่างๆ นั้น จะช่วยหนุนพอร์ทโฟลิโอที่กว้างขวางของไมครอนในด้านโซลูชั่น CMOS อิเมจ เซ็นเซอร์ (CMOS image sensor) และเมมโมรี่ โดย NAND แฟลช เมมโมรี่ไม่เพียงแต่จะทำให้ไมครอนสามารถจัดหากลุ่มโซลูชั่นด้านเมมโมรี่ที่เพิ่มมากขึ้นแก่ลูกค้าเท่านั้น แต่ยังจะทำให้ไมครอนสามารถเพิ่มประสิทธิภาพของเทคโนโลยีกระบวนการ DRAM เพื่อที่จะส่งเสริมลูกค้าด้วยกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและน่าเชื่อถือในปริมาณที่เพิ่มมากขึ้น
“คาดว่าตลาด NAND จะมีมูลค่า 7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐในปี 2547 และ 8.7 พันล้านดอลลาร์ในปี 2548 ซึ่งจะส่งผลให้เป็นตลาดเมมโมรี่ที่มีการขยายตัวรวดเร็วที่สุด การเข้ามาเจาะตลาดด้วยผลิตภัณฑ์นี้ของไมครอน ซึ่งเป็นหนึ่งในบริษัทแรกๆ ที่มีการผลิตผลิตภัณฑ์ 2Gb NAND นั้น นับว่าเป็นช่วงเวลาที่เหมาะสม เนื่องจากทางบริษัทได้ดำเนินการปรับเปลี่ยนนวอลุ่ม ไดรเวอร์ (volume driver) ให้มีขนาดความจุ 2Gb ด้วย” นายอลัน ไนเบล จากบริษัทเว็บฟีท รีเสิร์ช อิงค์กล่าว
ด้านนายอาคิม ฮิลล์ ผู้อำนวยการอาวุโสด้านการตลาดเมมโมรี่โทรศัพท์เคลื่อนที่ กล่าวว่า “ในช่วงเวลาเพียง 18 เดือน เราได้ดำเนินการตั้งแต่การออกแบบเบื้องต้นไปจนถึงปริมาณการผลิตด้วยเทคโนโลยีใหม่ทั้งหมดที่มีการผลิตขึ้นด้วยการรวมกระบวนการชั้นสูง”
“เพื่อที่จะให้ลูกค้าของเราสามารถที่จะเข้าถึงการพัฒนาผลิตภัณฑ์ได้อย่างรวดเร็วนั้น เรากำลังดำเนินการในด้านปริมาณ, การกระจายอำนาจ, บรรจุภัณฑ์, รูปแบบ, รหัสอ้างอิงและความสอดคล้องกันของตัวควบคุมตามที่ลูกค้าต้องการ ด้วยแผนการย้ายโอนด้านกระบวนการจาก 90 นาโนเมตร มาเป็น 72 และ 58 นาโนเมตรนั้น การดำเนินการของเราจะยังคงสะท้อนถึงโครงสร้าง, ปริมาณ, บรรจุภัณฑ์และเครื่องมือต่างๆที่จะซัพพอร์ทผลิตภัณฑ์ในยุคหน้าของลูกค้าของเรา” นายฮิลล์กล่าว
NAND แฟลช เมมโมรี่ขนาด 2Gb ของไมครอน ผลิตด้วยเทคโนโลยีด้านกระบวนการแบบ 90 นาโนเมตร และได้รับการตรวจสอบด้วยเครื่องควบคุม NAND ที่สำคัญจำนวนมาก เพื่อให้มีความสอดคล้องในรายละเอียดกับอุปกรณ์ 2Gb NAND ที่มีอยู่ ซึ่งจะเอื้อประโยชน์ต่อเครื่องควบคุมดังกล่าว รหัสอ้างอิงซอฟท์แวร์และรูปแบบการลอกเลียนแบบ เพื่อที่จะช่วยในการออกแบบผลิตภัณฑ์นั้น สามารถดูได้จากเว็บไซต์ของไมครอนที่ www.micron.com และภายใต้เงื่อนไขต่างๆ ด้านการอนุญาตที่ได้มาตรฐานของไมครอน ในปัจจุบันนี้ ไมครอนมีปริมาณการผลิต 2Gb NAND แฟลช เมมโมรี่เพิ่มมากขึ้น โดยคาดว่าปริมาณการผลิตจะเพิ่มขึ้นไปตลอดปี 2548 เพื่อที่จะรองรับความต้องการที่เพิ่มขึ้นของลูกค้า
บริษัทไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ เป็นหนึ่งในบริษัทชั้นนำระดับโลกในการจัดหาโซลูชั่นด้านเซมิคอนดัคเตอร์ชั้นสูง โดยผ่านทางการดำเนินงานทั่วโลกของทางบริษัทนั้น ไมครอนได้ทำการผลิตและทำการตลาด DRAMs, แฟลช เมมโมรี่, CMOS อิเมจ เซ็นเซอร์, ส่วนประกอบเซมิคอนดัคเตอร์อื่นๆ และส่วนประกอบด้านเมมโมรี่สำหรับใช้กับคอมพิวเตอร์ที่ทันสมัย, ผู้บริโภค, เครือข่าย และผลิตภัณฑ์โทรศัพท์เคลื่อนที่ หุ้นสามัญของไมครอนมีการเทรดในตลาดหุ้นนิวยอร์ค (NYSE) ภายใต้สัญลักษณ์ MU หากต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับบริษัทไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ กรุณาดูที่เว็บไซท์ www.micron.com
บริษัทไมครอนและสัญลักษณ์ไมครอน เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ ส่วนเครื่องหมายการค้าอื่นๆ ทั้งหมดเป็นทรัพย์สินของเจ้าของแต่ละราย
ติดต่อ: บริษัทไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
เอโค แชดวิค, 208-368-4400
[email protected]
หรือ
http://www.micron.com
