ลอส อัลโตส, แคลิฟอร์เนีย–(บิสิเนส ไวร์)–25 ม.ค. 2548 – ไฮนิกซ์ เซมิคอนดัคเตอร์, อิไฟนีออน เทคโนโลยีส์, ไอโนเทร่า เมมโมรีส์ และนานยา เทคโนโลยี คอร์ปอเรชั่น เป็นจำเลย
แรมบัส อิงค์ (Nasdaq:RMBS) ผู้พัฒนาผลิตภัณฑ์และบริการชิพ อินเตอร์เฟซชั้นนำ เปิดเผยว่า บริษัทได้ยื่นฟ้องต่อศาลแขวงสหรัฐฯ ในแคลิฟอร์เนียเหนือเรื่องการละเมิดสิทธิบัตร โดยแรมบัสกล่าวหาว่าจำเลยได้ละเมิดสิทธิบัตรอุปกรณ์หน่วยความจำ DDR2 และอุปกรณ์หน่วยความจำแบบกราฟฟิค GDDR3 ของบริษัท
จอห์น แดนฟอร์ท รองประธานอาวุโสและที่ปรึกษาทั่วไปของแรมบัส กล่าวว่า “การคาดการณ์ของบริษัทวิเคราะห์ต่างๆ เรื่องการถ่ายโอนเทคโนโลยีจาก DDR มาเป็น DDR2 และ GDDR ประกอบกับหลักฐานที่หนาแน่นเรื่องการละเมิดสิทธิบัตรของบริษัท เราจึงได้เดินหน้าฟ้องร้องในวันนี้ ซึ่งถือเป็นกรณีการฟ้องร้องเกี่ยวกับสิทธิบัตรใหม่ของสหรัฐฯ เป็นครั้งแรกของเรานับตั้งแต่เดือนส.ค. 2543” “ความต้องการของเราคือ ทำงานร่วมกับธุรกิจเซมิคอนดัคเตอร์ เพื่อให้บริการและแก้ปัญหาการละเมิดสิทธิบัตรด้วยวิธีการอื่น แต่ก็เหมือนกับผู้ถือสิทธิบัตรรายอื่นๆ บางครั้งเราก็ต้องพึ่งพาระบบศาลเพื่อให้ได้รับค่าชดเชยที่เป็นธรรมกับนวัตกรรมของเรา” นายแดนฟอร์ทกล่าว
แรมบัสกำลังอ้างสิทธิว่า กลุ่มผู้ผลิต DRAM ที่ถูกระบุชื่อในการฟ้องร้องนี้ ได้ละเมิดสิทธิบัตรมากกว่า 18 รายการของอุปกรณ์ DDR2, GDDR2 และ GDDR3 ที่ได้มีการส่งไปจำหน่ายในปัจจุบัน
ท่าสามารถดูข้อฟ้องร้องได้ที่เว็บไซต์ของแรมบัสที่ http://investor.rambus.com (ภายใต้หัวข้อการดำเนินการทางกฎหมาย)
เกี่ยวกับแรมบัส อิงค์
แรมบัส เป็นหนึ่งในผู้พัฒนาผลิตภัณฑ์และบริการชิพ อินเตอร์เฟซชั้นนำ นับตั้งแต่ก่อตั้งขึ้นในปี 2533 นวัตกรรม, เทคโนโลยี และความเชี่ยวชาญของบริษัทช่วยให้บริษัทที่ทำธุรกิจเกี่ยวกับชิพและระบบแก้ปัญหาที่ท้าทายและซับซ้อนเกี่ยวกับ I/O ได้ รวมทั้งยังสามารถนำผลิตภัณฑ์ออกสู่ตลาด โซลูชั่นอินเตอร์เฟซของแรมบัสปรากฎอยู่ในผลิตภัณฑ์จำนวนมาก ตั้งแต่ผลิตภัณฑ์คอมพิวติ้ง, สินค้าอุปโภคบริโภค, อุปกรณ์สื่อสารและแอพพลิเคชั่น แรมบัสมีสำนักงานใหญ่ที่ลอส อัลโตส รัฐแคลิฟอร์เนีย และมีสาขาอยู่ในภูมิภาคต่างๆคือ แชพเพิล ฮิล รัฐนอร์ท แคโรไลน่า, กรุงไทเป ไต้หวัน และกรุงโตเกียว ประเทศญี่ปุ่น ข้อมูลเพิ่มเติมสามารถดูได้ที่ www.rambus.com
ติดต่อ: ฝ่ายประชาสัมพันธ์แรมบัส
ลินดา แอชมอร์ โทร.650-947-5411
[email protected]
