มินนีอาโปลิส–(บิสิเนส ไวร์)–14 มี.ค.2548 – บริษัทเอฟเอสไอ อินเตอร์เนชั่นแนล อิงค์ (Nasdaq:FSII) ประกาศการพัฒนาเกี่ยวกับกระบวนการแยกนิคเกิล-พลาตินั่มแบบใหม่ ที่ได้รับการออกแบบเพื่อที่จะช่วยกลุ่มผู้ผลิตแผงวงจรรวม (IC) ในการดำเนินการสร้างซาลิไซด์ (salicide) ที่โหนดเทคโนโลยี 65 นาโนเมตร เอฟเอสไอได้พัฒนากระบวนการ PlatNiStrip(TM) ที่ใช้ระบบทำความสะอาดด้วยการฉีดพ่น (FSI ZETA(R) Spray Cleaning System) และได้เป็นหุ้นส่วนกับกลุ่มผู้ผลิต IC ชั้นนำในการแสดงกระบวนการดังกล่าวบนกลุ่มอุปกรณ์นำร่องขนาด 65 นาโนเมตร กระบวนการที่ใช้ต้นทุนต่ำนี้จะสามารถใช้ได้กับสารเคมีที่ได้มาตรฐานในภาคอุตสาหกรรมบนระบบซีต้า (ZETA) ที่มีมาตรฐาน
ในช่วงแรกนั้น กลุ่มผู้ผลิต IC ได้ให้ความสนใจในการใช้นิคเกิล ซาลิไซด์สำหรับการสร้างซาลิไซด์ที่โหนด 65 นาโนเมตร อย่างไรก็ตาม นิคเกิล ซาลิไซด์อาจจะไม่มีศักยภาพในการทนความร้อนได้มากพอที่จะต้านทานอุณหภูมิในการหลอมรวมอย่างเต็มที่ในทุกกรณี คณะนักวิจัยได้ค้นพบว่าการเพิ่มพลาตินั่มจำนวนเล็กน้อย (ประมาณ 5 %) จะสามารถเพิ่มความสามารถในการทนความร้อนของแผ่นฟิล์มซาลิไซด์ที่สร้างขึ้นอย่างมาก วิธีการดั้งเดิมในการแยกนิคเกิล เช่น สารละลายกรดซัลฟูริค-ไฮโดรเจน เพอร์อ็อกไซด์นั้น ไม่มีประสิทธิภาพในการแยกพลาตินั่ม ซึ่งส่งผลให้มีกากพลาตินั่มหลงเหลืออยูในแผ่นเวเฟอร์
กระบวนการ PlatNiStrip(TM) แบบใหม่ของเอฟเอสไอ ซึ่งสารละลายกรดที่มีการผสมตามการใช้งานนั้น จะสามารถแยกทั้งนิคเกิลและพลาตินั่มโดยไม่มีกากตกค้าง และด้วยประสิทธิภาพในการคัดสรรที่ระดับสูงสำหรับซิลิไซด์, ออกไซด์ และไนไตรด์ ซึ่งจะทำให้สามารถรวมแผ่นฟิล์มนิคเกิล-พลาตินั่ม ซิลิไซด์ได้
“กระบวนการนี้สืบเนื่องมาจากประวัติความสำเร็จเป็นระยะเวลานานของเอฟเอสไอในการแยกโลหะสำหรับการสร้างซิลิไซด์” นายดอน มิทเชลล์ ประธานและซีอีโอของเอฟเอสไอกล่าว
“ผู้ผลิต IC ชั้นนำกว่า 20 รายได้ใช้ระบบทำความสะอาดแบบฉีดพ่นของเอฟเอสไอในการผลิตปริมาณมากสำหรับระบบการแยกโลหะซาลิไซด์ เราได้สร้างความมั่นใจว่าลูกค้าจะเก็บเกี่ยวประโยชน์ที่เกี่ยวข้องกับความสามารถของอุปกรณ์ของเราในการขยายโหนดเทคโนโลยีจำนวนมาก โดยยังคงเพิ่มศักยภาพด้านกระบวนการของเรา” นายมิทเชลล์กล่าว
ระบบซีต้ามีความเหมาะสมโดยพื้นฐานสำหรับแอพพลิเคชั่นนี้ เนื่องจากเทคโนโลยีการส่งผ่านและการผสมสารเคมีที่มีลักษณะเฉพาะของระบบได้สร้างความมั่นใจเกี่ยวกับศักยภาพในการคัดสรรและอัตรากัดกร่อนที่สม่ำเสมอ ผลที่ได้คือการดำเนินงานของกระบวนการที่มีความแน่นอนและสามารถไว้วางใจได้
ระบบซีต้าจะรวมถึงโครงสร้างอัตโนมัติอย่างสมบูรณ์สำหรับแผ่นเวเฟอร์ขนาด 200 และ 300 มิลลิเมตร และโครงสร้างกึ่งอัตโนมัติสำหรับแผ่นเวเฟอร์ขนาด 200 และ 150 มิลลิเมตร ระบบซีต้าได้รับการพิสูจน์แล้วว่าเหมาะสมกับระบบการทำงานที่หลากหลาย ซึ่งรวมถึงระบบทำความสะอาดแบบ (FEOL) resist strip และ post-ash clean, ระบบ (BEOL) post-ash clean, ระบบ salicide strip, ระบบ wafer bumping และ wafer reclaim
ระบบซีต้าใช้เทคโนโลยีการฉีดพ่นจากศูนย์กลาง, เวเฟอร์จะผ่านกระบวนการเป่าแห้งในช่องชำระล้างไนโตรเจนแบบปิด โดยเทคโนโลยีการส่งสารเคมีของเอฟเอสไอจะเตรียมสารเคมีด้วยองค์ประกอบและอุณหภูมิที่มีการควบคุม และส่งสารเคมีโดยตรงไปบนแผ่นเวเฟอร์ โดยระบบ ZETA 200 และ ZETA 300 นั้นมีราคาตั้งแต่ 1-2.8 ล้านดอลลาร์สหรัฐฯ
เอฟเอสไอ อินเตอร์เนชันแนล อิงค์ เป็นบริษัทซัพพลายเออร์ชั้นนำระดับโลกด้านเทคโนโลยีอุปกรณ์ปรับสภาพพื้นผิวและบริการด้านการสนับสนุนสำหรับการผลิตไมโครอิเล็คทรอนิคส์ ด้วยการใช้กลุ่มผลิตภัณฑ์ทำความสะอาดที่หลากหลายของบริษัทซึ่งได้แก่ระบบการทำงานบนเวเฟอร์แบบเดี่ยวและเป็นชุดสำหรับเทคโนโลยีการแช่, การฉีดพ่น, ไอน้ำ และ CryoKinetic นั้น จะทำให้ลูกค้าบรรลุเป้าหมายในด้านประสิทธิภาพของกระบวนการทำงาน, ความยืดหยุ่น และประสิทธิภาพการผลิต
โครงการบริการด้านการสนับสนุนของบริษัทจะทำการส่งเสริมผลิตภัณฑ์และกระบวนการทำงานเพื่อยืดอายุการใช้งานอุปกรณ์ของเอฟเอสไอเพื่อให้ลูกค้าทั่วโลกได้รับผลตอบแทนการลงทุนที่สูงขึ้น
เว็บไซต์ของเอฟเอสไอ: www.fsi-intl.com
ติดต่อ: บริษัทเอฟเอสไอ อินเตอร์เนชั่นแนล อิงค์, มินนีอาโปลิส
สื่อการค้า:
ลอรี วอล์คเกอร์, โทร 952-448-8066
หรือ
สื่อการเงินและนักลงทุน:
เบนโน แซนด์, โทร 952-448-8936
