ซันนี่เวล, แคลิฟอร์เนีย–(บิสิเนสไวร์)— สแปนชั่น เปิดตัวหน่วยความจำความจุ 256 เมกะไบต์ ที่มีการจัดเก็บข้อมูล 2 บิต ต่อ หน่วยความจำ 1 เซลล์และมีความเร็วสูงที่สุดในท้องตลาด ซึ่งเป็นหน่วยความจำแฟลชแบบ NOR 80 MHz ที่สามารถรับส่งข้อมูลด้วยวามเร็วสูงถึง 108 MHz
บริษัทสแปนชั่น แอลแอลซี ซึ่งป็นหน่วยธุรกิจแฟลช เมมโมรี่ของเอเอ็มดี (NYSE:AMD) และบริษัทฟูจิตสึ จำกัด (TSE:6702) แถลงข่าวในวันนี้ว่า บริษัทคาสิโอ ฮิตาชิ โมไบล์ คอมมิวนิเคชั่น ได้พัฒนาโทรศัพท์เคลื่อนที่รุ่นใหม่ 2 รุ่น ซึ่งมีหน่วยความจำแฟลชแบบ NOR ความจุ 512 เมกะไบต์ติดตั้งอยู่ โดยเป็นหน่วยความจำรุ่น WS256N ของสแปนชั่น ที่เป็นหน่วยความจำแฟลชแบบ NOR ซึ่งพัฒนาโดยใช้เทคโนโลยีMirrorBit(TM) ของทางบริษัทที่ได้รับรางวัลมาอย่างมากมาย โทรศัพท์รุ่น G’zOne และ A5512CA พัฒนาโดยคาสิโอ-ฮิตาชิ และในขณะนี้ได้มีการวางจำหน่ายในประเทศญี่ปุ่นแล้ว โดยหน่วยความจำรุ่น WS256N เป็นหน่วยความจำที่ความเร็วในการรับส่งข้อมูล 80 MHz ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการเก็บข้อมูลในหน่วยความจำที่มีการเก็บข้อมูล 2 บิตในหน่วยความจำ 1 เซลล์ที่มีความเร็วในการับส่งข้อมูลสูงที่สุดในปัจจุบัน นอกจากนี้ สแปนชั่นยังเชื่อมั่นว่าหน่วยความจำดังกล่าวมีความสามารถเพียงพอที่จะรับส่งข้อมูลด้วยวามเร็วสูงถึง 108 MHz
ฮาน วิลเดนเบิร์ก รองประธานกลุ่มธุรกิจไร้สาย บริษัทสแปนชั่น ประเทศญี่ปุ่น กล่าวว่า “หน่วยความจำ MS256N เป็นชิ้นงานล่าสุดที่เป็นการประยุกต์ใช้เทคโนโลยี MirrorBit ของสแปนชั่น ซึ่งเป็นหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพในการทำงานสูง มีความเสถียร และมีราคาต่อบิต (cost-per-bit) และความจุข้อมูลเพียงพอสำหรับการใช้งานทุกรูปแบบ”
“โทรศัพท์เคลื่อนที่รุ่นใหม่ทั้ง 2 รุ่นของคาสิโอ มีฟังก์การทำงานที่โดดเด่นในด้านมัลติมีเดีย ซึ่งอาศัยการมีพื่นที่ในการจัดเก็บข้อมูลและประสิทธิภาพในการทำงานที่เพิ่มมากขึ้น” นายวิลเดนเบิร์กกล่าว
ในปัจจุบันมีเพียงหน่วยความจำ MS256N เท่านั้นที่สามารถการเก็บข้อมูล 2 บิตในหน่วยความจำ 1 เซลล์ และมีความเร็วในการับส่งข้อมูลสูงถึง 80 MHZ ซึ่งทำให้ผู้ออกแบบโทรศัพท์เคลื่อนที่สามารถประยุกต์ใช้ความสามารถของชิปสำหรับอุปกรณ์ไร้สายได้อย่างเต็มที่โดยการประยุกต์ใช้หน่วยความจำแฟลชที่มีประสิทธิภาพในการทำงานสูงร่วมกับชุดคำสั่ง ซึ่งทำให้มีความเร็วในการประมวลผลชุดคำสั่งเพิ่มขึ้นหลายล้านชุดคำสั่งในหนึ่งวินาที และส่งผลให้ผู้ออกแบบโทรศัพท์เคลื่อนที่มีพื้นที่ในการจัดเก็บข้อมูลที่มากเพียงพอและสามารถบริหารจำนวนชุดคำสั่งที่เพิ่มขึ้น ซึ่งเป็นสิ่งจำเป็นที่ทำให้โทรศัพท์เคลื่อนที่มีฟังก์ชั่นด้านมัลติมีเดียที่มีความซับซ้อน นอกจากนี้ปัจจัยด้านความเร็วในการอ่านข้อมูลยังช่วยให้โทรศัพท์เคลื่อนที่เริ่มต้นการทำงานและถ่ายรูปได้รวดเร็วมากยิ่งขึ้น
โทรศัพท์เคลื่อนที่คุณภาพสูงที่ผลิตโดยบริษัทคาสิโอ-ฮิตาชิ มีพื้นที่ในการเก็บข้อมูลมากถึง 64 เมกะไบต์ เพื่อให้เหมาะสำหรับการใช้งานด้านมัลติมีเดีย โดยมีการนำกล้องที่มีรายละเอียดสูงถึง 1.28 ล้านพิกเซลติดตั้งอยู่ ทั้งนี้ยังมีพื้นที่สำหรับจัดเก็บข้อมุลของโทรศัพท์และเบอร์โทรศัพท์เพิ่มมากขึ้น รวมถึงมีฟังก์ชันในการเกี่ยวกับแผนที่และการค้นหาเส้นทาง รวมถึงความสามารถในการเล่นภาพวิดีโออีกด้วย
เคนจิ อิวาฮาระ หัวหน้ากลุ่มออกแบบฮาร์ดแวร์ สำนักงานออกแบบและพัฒนา บริษัทคาสิโอ ฮิตาชิ โมไบล์ คอมมิวนิเคชั่น กล่าวว่า “หน่วยความจำแฟลชของสแปนชั่น ถูกออกแบบมาให้สามารถเพื่อทำงานร่วมกับชิปที่มีประสิทธิภาพในการการทำงานสูง ซึ่งทำให้ผู้ผลิตอุปกรณ์พกพาสามารถนำมาใช้พัฒนาโทรศัพท์เคลื่อนที่ได้”
“จากการที่ผู้ใช้โทรศัพท์เคลื่อนที่มีความต้องการให้มีการรับส่งข้อมูลด้วยความเร็วสูงและโทรศัพท์เคลื่อนที่มีฟังก์ชันการทำงานที่แปลกใหม่อย่างต่อเนื่อง จึงส่งผลให้มีการปรับปรุงให้โทรศัพท์เคลื่อนที่สามารถประมวลผลข้อมูลและมีพื้นที่ในการจัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มมากขึ้นอย่างต่อเนื่องเป็นเงาตามตัว” นายอิวาฮาระกล่าว
เกี่ยวกับหน่วยความจำแฟลชแบบ NOR ในตระกูล WS256N ที่ถูกพัฒนาขึ้นมาสำหรับอุปกรณ์ไร้สายโดยเฉพาะ
หน่วยความจำแฟลชในตระกูล WS-N ของสแปนชั่น มีความจุแบ่งเป็น 512, 256, 128, และ 64 เมกะบิต ซึ่งใช้แรงดันไฟฟ้า 1.8 โวลต์ โดยมีลักษณะเป็น Single-die และ MCP ทั้งนี้หน่วยความจำในตระกูลดังกล่าวจะช่วยให้ผู้ใช้งานสามารถพัฒนาโทรศัพท์เคลื่อนที่ที่มีประสิทธิภาพในการทำงานสูงได้ โดยหน่วยความจำที่กล่าวถึงจะมีความเร็วในการรับส่งข้อมูล 80 MHz ซึ่งเหมาะสำหรับผู้ใช้งานที่มีจำนวนมากที่สุดในตลาดอุปกรณ์ไร้สายในปัจจุบัน
สแปนชั่นยังพิสูจน์ให้เห็นว่าหน่วยความจำแฟลชของทางบริษัทสามารถรับส่งข้อมูลด้วยความเร็วสูงสุดถึง 108 MHz ซึ่งส่งผลให้ผู้ใช้งานหน่วยความจำ WS256N สามารถพัฒนาอุปกรณ์ไร้สายประสิทธิภาพสูงในอนาคตได้ และด้วยการมีความสามารถในการทำงานร่วมกับฮาร์ดแวร์และซอฟต์แวร์ที่มีความสอดคล้องกันในหน่วยความจำทุกตระกูลของสแปนชั่น จึงทำให้ผู้ใช้หน่วยความจำดังกล่าวสามารถใช้หน่วยความจำ WS256N ของสแปนชั่น ที่มีขนาดเพียง 110 นาโนเมตรเป็นแพลตฟอร์มในการพัฒนาอุปกรณ์ไร้สายได้ ซึ่งทำให้เกิดความสะดวกในการปรับเปลี่ยนหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพในการทำงานที่สูงกว่าหรือหน่วยความจำที่มีขนาด 90 นาโนเมตรที่จะออกวางจำหน่ายในอนาคตได้ โดยทางบริษัทคาดการณ์ไว้ว่าจะวางจำหน่ายหน่วยความจำแบบ Single-chip ที่มีขนาด 90 นาโนเมตร และมีความจุ 512 เมกะไบต์ในต้นปีหน้า
เกี่ยวกับเทคโนโลยี MirrorBit(TM)
เทคโนโลยี MirrorBit(TM) เป็นเทคโนโลยีที่พัฒนาและจดสิทธิบัตรโดยสแปนชั่น โดยเป็นการเก็บข้อมูล 2 บิตในหน่วยความจำ 1 เซลล์ ซึ่งส่งผลให้ให้หน่วยความจำแต่ละเซลล์มีความจุเพิ่มขึ้นแบบทวีคูณ เทคโนโลยี MirrorBit มีขั้นตอนการผลิตที่ไม่ซับซ้อน จึงทำให้มีค่าใช้จ่ายในการผลิตต่ำ โดยเป็นการลดขั้นตอนการผลิตโดยรวม 10 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับการผลิตหน่วยความจำที่ใช้เทคโนโลยีแบบ Floating age MLC NOR และเป็นการลดขั้นตอนการผลิตที่มีความสำคัญได้มากถึง 40 เปอร์เซ็นต์
เกี่ยวกับสแปนชั่น
สแปนชั่นเป็นบริษัทที่เกิดจากการร่วมลงทุนระหว่างเอเอ็มดีและฟูจิตสึ เพื่อผลิตแฟลชเมมโมรี่ เป็นบริษัทใหญ่ที่สุดในโลกที่พัฒนา ออกแบบและผลิตแฟลชเมมโมรี่เพียงอย่างเดียว โดยในปีงบการเงิน 2547 สแปนชั่นมียอดขายสุทธิรวมประมาณ 2.3 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ โดยบริษัทมีผลิตภัณฑ์แฟลชเมมโมรี่แบบ NOR ที่หลากหลายที่สุดในอุตสาหกรรมนี้เพื่อใช้ในอุปกรณ์ไร้สาย ยานยนต์ เครือข่าย การสื่อสารโทรคมนาคมและตลาดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค กลุ่มผลิตภัณฑ์ของบริษัทได้รับการสนับสนุนจากเครือข่ายศูนย์การผลิตที่ก้าวล้ำทั่วโลก ทีมผู้ชำนาญพิเศษในระดับระบบและความช่วยเหลือในด้านการออกแบบ และความมุ่งมั่นเพื่อความสำเร็จของลูกค้า สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับโซลูชั่นแฟลชเมมโมรี่ของสแปนชั่น สามารถเข้าไปชมได้ที่ http://www.spansion.com
